上海场效应管|苏州硅能半导体1|场效应管工作
MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流(DC)信号而言,MOSFET的栅极端阻抗为无限大(等效于开路),也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点,而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们**主要的竞争对手BJT相较之下更为省电,而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里,除了负责驱动芯片外负载(off-chip load)的驱动器(driver)外,每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极,上海场效应管,如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下,BJT的逻辑电路(例如**常见的TTL)就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点,例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应(loading effect)。
数字电路
数字科技的进步,场效应管功放,如微处理器运算效能不断提升,带给深入研发新一代MOSFET更多的动力,这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快,几乎成为各种半导体主动元件中**快的一种。MOSFET在数字信号处理上**主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明,这种结构**1大的好处是理论上不会有静态的功率损耗,只有在逻辑门(logic gate)的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门**基本的成员是CMOS反相器(inverter),而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样,在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管(NMOS或是PMOS)处在导通的状态下,另一种必定是截止状态,场效应管工作,这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径,场效应管原理,大量节省了电流或功率的消耗,也降低了集成电路的发热量。
从名字表面的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第1个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中,多晶硅栅已经不是主流技术,从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始,栅极开始重新使用金属。
上海场效应管|苏州硅能半导体1|场效应管工作由苏州硅能半导体科技股份有限公司提供。上海场效应管|苏州硅能半导体1|场效应管工作是苏州硅能半导体科技股份有限公司(www.silikron.com)今年全新升级推出的,以上图片仅供参考,请您拨打本页面或图片上的联系电话,索取新的信息,联系人:夏经理。