快充芯片、钲铭科、快充芯片方案
同步整流芯片(如QC2.0、QC3.0方案)
高通QuickCharge采用高压快充标准。得益于在手机处理器端的统治级地位,目前有超过100种智能手机都采用高通Quick Charge的方案。小米4C,同步整流快充芯片,小米note,三星等主流品牌均在采用此充电技术。这与目前高端智能手机所采用的平台有相当关系。另外,这种技术相对简单,实现起来相对容易,快充芯片方案,成本提升不明显,市场较容易接受。高通QC充电技术有两个版本,分别是QC2.0和QC3.0,现在QC3.0的手机还很少,普遍还是QC2.0。QC3.0采用高压快充技术,通过3.6~20V动态可调节电压和max3A电流以实现max36 W充电功率。同时,QC 3.0采用了电压智慧协商(INOV)技术,可让受电装置自行判断,以**适合的功率级别进行充电,将能源转换效率max化。
深圳市钲铭科电子有限公司成立于2001年7月,DK5V45R25快充芯片,是一家专业从事集成电路设计、委托加工及销售的高新技术企业。公司专注于同步整流,高压线性,电源管理、LED照明芯片的研发。经过多年的经验积累和沉淀,得到了客户的高度评价和信任。
替代肖特基二极管的同步整流芯片
DK5V45R10 DK5V45R15 DK5V45R20 DK5V45R25
同步整流技术就是采用低导通电阻的功率mos管代替开关变换器快恢复二极管,起整流管的作用,从而达到降低整流损耗,提高效率的目的。通常,快充芯片,变换器的主开关管也采用功率mos管,但是二者还是有一些差异的。
功率mos管实际上是一个双向导电器件,其完整的漏源伏安特性应包括开始一象限以及第三象限,是基本关于原点对称的。如图1所示。其中:开始一象限表示mosfet的正向导电特性,第三象限表示mosfet的反向导电特性,同步整流技术正是利用了mosfet的这种双向导电特性来达到提高整流效率的目的。
同步整流效率比传统的肖特基二极管提高4-5%,温度降低可达到50%;效率比Low VF的二极管提高20%以上,温度可降低20%。
DK5V45R10(同步整流芯片)内部集成了10m Ω/45V功率NMOS管和同步整流控制IC,适用于5V/4A以下的反激式开关电源级次整流。
DK5V45R15(同步整流芯片)内部集成了15m Ω/45V功率NMOS管和同步整流控制IC,适用于5V/3A以下的反激式开关电源级次整流。
DK5V45R20(同步整流芯片)内部集成了20m Ω/45V功率NMOS管和同步整流控制IC,适用于5V/2.5A以下的反激式开关电源级次整流。DK5V45R25(同步整流芯片)内部集成了25m Ω/45V功率NMOS管和同步整流控制IC,适用于5V/2A以下的反激式开关电源级次整流。
快充芯片、钲铭科、快充芯片方案由深圳市钲铭科电子有限公司提供。深圳市钲铭科电子有限公司(www.linkage66.com)实力雄厚,信誉可靠,在广东 深圳 的集成电路等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将引领钲铭科和您携手步入辉煌,共创美好未来!