氮化铝专业制造商--青州迈特科创

产品介绍 氮化铝是由由ⅢA族元素Al和ⅤA族元素N化合而成的半导体材料分子式为AlN。室温下禁带宽度为6.42eV，属直接跃迁型能带结构。 产品属性 (1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上； 　　(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； 　　(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良； 　　(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结使用方法 有报告指现今大部分研究都在开发一种以半导体（氮化镓或合金铝氮化镓）为基础且运行於紫外线的发光二极管，而光的波长为250纳米。在2006年5月有报告指一个无主要特点 。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料功能用途 由于氮化铝压电效应的特性，氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜。其他说明 氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入交易说明 欢迎广大客户来厂参观、选购