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青佺电子为大家说说电容的作用之二 ——去耦
去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰 电解电容，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路 0.22uf电解电容，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大 铝电解电容 esr，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
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如何选用规格适当之电容器
1. 所有被动组件中， 电容器属于种类及规格特性**复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异， 即使是相同的电容量值与额定电压值， 亦有其它不同种类及材质特性的选择.
2. 以电解电容器为例 微小型电解电容， 由于其电容量值较大， 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:
A. 使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃
B. 使用高度限制: 传统A/I标准型**高度为11mm， 迷你型为7mm， 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).
C. 电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时， 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%
