XTR25411
功能
•可在-60°C至+230°C温度范围之外运行。
•驱动P-和N-沟道MOSFET（VGS=5V）。
•输入到输出级的偏移电压从-30V到+35V。
•作为低端或高端驱动器操作。
•PVDD域上的欠压锁定（UVLO）。
•标准施密特触发器CMOS输入。
•即插即用，可使用任何数字3.5V至5V输出。
•高达1A汇/源电流（@Tj=+230°C）。
•P沟道和N沟道MOSFET的去饱和保护。
•检测到去饱和时的软关闭功能。
•向数字控制器报告错误。
•单片设计。
•免闩锁。
•坚固耐用的陶瓷SMD和通孔封装。
•也可用作裸模。
应用
•可靠性关键，汽车、航空航天、井下。
•DC/DC转换器、负载点功率转换器、开关电源、PWM控制、电机驱动、浮动或接地开关、电源开关（GaN）。
****额定值
IN、ERR、INVERT和VDD到GND上的电压-0.5到6.0V PVDD到PGND上的电压0.5-7.5V PGND到GND的电压-30V到35V存储温度范围-70°C到+230°C工作结温度范围-70℃到+300°CESD分类1kV HBM MIL-STD-883
