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更新时间: 2023/8/14 5:14:25

MOS管的全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管,英文简称为MOSFET,具有三个电极,分别为:栅极G、源极S和漏极D,根据其半导体结构可以分为P-MOS和N-MOS。其电气符号如下图所示。 下面以NMOS为例分析其工作原理,在栅极G和源极S之间不加电压的时候,在DS之间加正电压时,D与衬底的P型半导体之间PN结反偏不通。当GS之间加正电压后,绝缘层和G极之间感应出正电荷,绝缘层和P型半导体之间感应出负电荷。这时负电荷和P型半导体中的载流子的极性相反,会将D和S的N型半导体连接起来形成一条N型的导体沟道。NMOS半导体结构如下图所示。2 MOS管的驱动方式 MOS管为电压驱动型的半导体器件,对于NMOS而言,如果VGS>0,则NMOS导通;对于PMOS而言,如果VGS<0则,PMOS导通。其驱动电路示意图如下图所示。 对于单片机电路而言,我们建议不要直接用GPIO来驱动MOS,因为单片机的供电电压以3.3V居多,输出的高电平为3.3V,对于功率较大的MOS而言,可能无法使MOS管完全导通。所以,一般通过三极管来驱动MOS管,三极管是电流型的驱动器件。


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