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导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间，陕西电子线圈价格。短路保护时间计算步骤：计算MOSFVBHET短路时允许的瞬态温升因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面温度Tj：MOSFET结点温度Rth(jc)：结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻由图2可知，陕西电子线圈价格，短路时MOSFET耗散的功率约为：P=Vds×I=25×400=10000W脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，陕西电子线圈价格，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较**的脉冲功率数据。对于MOSFET温升计算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。Zθjc------热阻系数Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间由图3**下面一条曲线(单脉冲)可知，对于单脉冲来说。
样本对照组的数据越多，数据越丰富，软故障的检测结果可信度就越高，随着使用过程中数据的积累迭代，软故障检测的可信度将越高。此外，还可以进一步延伸，根据存在软故障的中间继电器中线圈s参数相角为零对应频率与作为对照组的正常中间继电器的对应的频率中心的距离来刻画软故障的严重程度，二者距离越远，软故障程度越严重。本实施方式聚类时使用的系统聚类法，系统聚类法是聚类分析的方法之一，其具体操作方法为：把**开始的每个样品单独列为一类，然在把类间距离**小的两类样品聚为新的小类，再把上一步已聚合的新的小类按其类间距离再次聚类，一直实施下去，直到把所有子类聚到一个大类下。实施例：下面将以额定电压为12v的my2nj型中间继电器为例，说明实际的如故障检测过程以及检测的有效性。受条件所限，使用6个额定电压为12v的my2nj型中间继电器构建初始对照样本，直接测量得到的样本频率编为一组，人为制造软故障后采集到的频率编为二组，结果如表1所示。表1初始对照样本数据(单位/mhz)将表1中的数据使用特有的聚类方法进行聚类分析分为两大类，其结果如图2所示，～，～。由图2可以看出，特定的聚类方法可以很好的区分有无软故障的中间继电器。
按电感形式分类:固定电感、可变电感。
按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。
按工作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。
按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
