AB1766L32BXB
SiC SBD是发展**为成熟的SiC电力电子器件,适用于600V-3300V阻断电压范围。Cree、Rohm、Microsemi、Infineon等公司SiC SBD已经应用于变频或者逆变装置中替换Si基快恢复二极管,显著提高了工作频率和整机效率。然而由于SiC开关器件发展的相对滞后,因此目前在牵引、工业变频等领域的普遍做法是将SiC SBD和Si IGBT芯片封装在一起以形成大功率开关器件,以降低器件开关损耗。
2.2 SiC MOSFET
SiC是**具有热氧化层的宽禁带半导体材料,因此可以直接借鉴Si 基MOSFET的设计、制造经验和生产设备。同时,SiC MOSFET与现有Si基MOSFET、IGBT驱动电路兼容,因此SiC MOSFET是发展**快的开关器件。