模块+E1830F-现场总线3BDH000032R1
2 功率器件的散热设计
通常对igbt或igct模块来说，其pn结不得超过125℃，封装外壳为85℃。有研究表明，元器件温度波动超过±20℃，其失效率会增大8倍。功率器件散热设计关乎整个设备的运行安全。
2.1 在进行功率器件散热设计时应注意的事项
（1） 选用耐热性和热稳定性好的元器件和材料，以提高其允许的工作温度;
（2）减小设备（器件）内部的发热量。为此，应多选用微功耗器件，如低耗损型igbt，并在电路设计中尽量减少发热元器件的数量，同时要优化器件的开关频率以减少发热量;
（3） 采用适当的散热方式与用适当的冷却方法，降低环境温度，加快散热速度。
以目前**常见的单元级联式高压变频器为例，对其中一个功率单元为例进行热设计。
2.2 损耗功率的估算
在设备稳态运行时，功率单元内整流二极管、igbt、续流二极管总的功率损耗即为散热器的耗散功率。因此热设计的**步就是对上述器件的总功耗进行估算。
（1） igbt的功率损耗一般包括通态损耗、断态损耗、开通损耗、关断损耗和驱动损耗，在估算时主要考虑通态损耗、开通损耗与关断损耗;
（2） 对续流二极管来讲，主要估算它的通态损耗与关断损耗;
（3） 整流二极管在低频情况下的损耗功率
主要为通态损耗，确定其通态功耗的简便方法是从制造厂给出的通态损耗功率与通态平均电流关系曲线直接查出。
上述功率单元总的功耗为：p=（pss+psw）×4+pd×6 （5）
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