LZS1-271115氮化铝陶瓷基板 金锡热沉 适用于混合式集成电路等
Al2O3：氧化铝基板是电子工业中**常用的基板材料。相对于大多数其他氧化物陶瓷，氧化铝陶瓷的强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，价格便宜，适用于各种各样的制造技术以及不同的形状要求。
BeO：具有比金属铝还高的热导率，应用于需要高热导的场合，但温度超过300°C后迅速降低，还因其毒性，大大限制了BeO陶瓷的应用。
Si3N4：氮化硅陶瓷基板导热率75-80W/(m·K），导热确实比不上氮化铝陶瓷基板，但是氮化硅陶瓷基板弯曲强度是氮化铝陶瓷基板的2-3倍，可以提高氮化硅陶瓷覆铜板强度和抗冲击能力，焊接更厚的无氧铜而不会产生瓷裂现象，提高了基板的可靠性。
AlN：AlN有几个非常重要的性能优点：无毒；高的绝缘性能和高击穿场强（1.4×107V/cm）；低介电常数（～8.8）；非常高的热导率（同导热良好的铝相当，理论热导率280W/m/K）；有与Si相匹配的膨胀系数（293K-773K，4.8×10-6K-1）。只是AlN陶瓷材料本身的机械强度稍差；相对于Al2O3，AlN价格相对偏高。但性价比来讲，AlN还是高出许多，因为Al2O3（96%）的导热率只有29W/M*K（25°C），而AlN热导率高达180W/M*K（25°C）。因此，对于正在兴起和快速发展的物联网、人工智能、5G、电力电子、轨道交通、新能源汽车等行业所需要的大功率电子器件，特别是大功率IGBT模块，具有高导热性能、高可靠性的氮化铝陶瓷基板必将成为**材料。
