n型金属层用于连接n型层,用于导电。在某一实施方式中,所述p型层包括p型金属层62。p型金属层用于连接p型层,用于导电。在某一实施方式中,所述p型层还包括上波导层61。上波导层可选用p-ingan。斜面是通过制作v字型凹槽或者弧形凹槽或者开口倒梯形凹槽1,然后劈裂开形成的;v字型凹槽或者弧形凹槽或者开口倒梯形凹槽的深度不会超过上波导层。这保证了劈裂不会过度,斜面限于p型层,而不延伸进入活性层。如图4所示,本发明的一个实施方式提供一种激光二极管的制作方法,包括步骤:s1,在衬底上依次外延生长n型层、mqw活性层和p型层,并制作带有脊状条的p型层;s2,沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂,得到脊状条的端面为斜面;s3,进行dbr覆盖层生长,无锡销售蓝光激光二极管的供应商,所述dbr覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述斜面。接触面包括斜面,直接解决了由于现有的腔面的直角形状造成的边角的dbr覆盖不好、应力大易破裂,侧镀的dbr又会影响到ld的共晶从而影响ld的电性。在某一实施方式中,所述斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于:大于0度且小于等于60度。这个角度范围能够保证dbr
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