抛光浆料的选取要满足易清洗、抛光速率快以及抛光均匀性好等特点，而硅溶胶作为一种软质磨料是在SiO2磨粒表面包覆一层无色透明胶体，使其硬度比SiO2磨粒更软，其粒度约为0.01-0.1um，加工时抛光表面不易造成划伤，同时其胶体粒子直径为纳米级，具有较大的比表面积，高度的分散性和渗透性，因其粒子表面常吸附OH-而带负电，具有很好的亲水性和憎油性，因此广泛应用于硅片、二氧化硅、蓝宝石等精密光学器件表面的抛光处理。
由于二氧化硅粒度很细，约0.01-0.1μm，因此抛光工件表面的损伤层极微；另外，二氧化硅的硬度和硅片的硬度相近，因此常用于对半导体硅片的抛光。精抛时通常不会采用类似气相法制备的微米级二氧化硅粒子，而采用纳米级的硅溶胶，这是为了减小表面粗糙度和损伤层深度。
二氧化硅是硅溶胶抛光液的重要组成部分，其粒径大小、致密度、分散度等因素直接影响化学机械抛光的速率和抛光质量。
HPHE/SPS-SH-1813型蓝宝石基片CMP浆料是广东惠和纳米科技有限公司的新一代水溶性高纯度CMP浆料，具有稳定性好，浓度高，可循环使用等特点，用于蓝宝石基片软抛加工工艺，能够实现晶片移除率高，表面平整度高，粗糙度低，表面无麻点，腐蚀坑等微缺陷，多项参数达到国际先进水平。HPHE/SPS-SH-1813型CMP浆料采用单质硅水解工艺制备的致密度更好的胶体并且在辅助催化方面做了改进，具有去除速率高，表面质量好等优势。
主要特点
HPHE/SPS-SH-1813型蓝宝石基片CMP浆料采用我司自主合成生产的高纯纳米SiO2水溶胶作为磨料，具有生产自动化高，稳定性好的特点。CMP浆料生产过程中采用自动化配制，辅料的添加采用高精度流量计控制，全方位立体搅拌，两层折叠滤芯过滤，自动罐装包装的生产配制方法，因此产品金属杂志极少，易清洗，无毒无污染，使用中产品移除率高，损伤层小，平整度高，避免晶片出现划伤。HPHE/SPS-SH-1813型CMP浆料中加入了特有的抛光促进剂以及活性物质，能够在CMP过程中保证质量传输的一致性，提高抛光效率。CMP过程中根本需要可以优化不同配比，均能达到**使用效果，同时，该产品在抛光过程中具有无结晶，划伤少，可以循环使用等优点。
