硅碳棒电热元件性能。 1.物理性能 元件质地硬而脆,耐急冷急热,高温下不宜变形,其他物理性能如下表: 密度(克/厘米3) 莫氏硬度 比热(千卡/公斤.度) 导热系 数(大卡/米.小时.度) 线膨胀系数 (m/℃ ) 3.2 9.5 0.17 20 5/1000000 2.化学性能 硅碳帮有良好的化学稳定性,抗酸能力强。在高温条件下碱性物质对其有侵蚀作用。 元件在1000℃以上长期使用能与氧气和水蒸气发生如下作用: ① SiC+2O2 ->SiO2 +CO2 ② SiC+4H2O=SiO2 +4H2 +CO2 致使元件中SiO2含量逐渐增多,电阻随之缓慢增加,为之老化。如水蒸气过多,会促使SiC氧化,由②式反应产生的H2与空气中的O2结合成H2O再与SiC反应产生恶性循环,降低元件寿命。H2能使元件机械强度降低。N2 在1200℃以下能防止SiC氧化,1350℃以上与SiC发生反应,使SiC分解,Cl2 能使SiC完全分解。 3.电气性能 硅碳棒的电阻——温度特性,元件受热部的电阻率在1400℃时为1000 oΩmm2/M,它随着元件的温度的变化而变化,变化规律一般循,电阻——温度特性曲线: 元件在850±50℃以下电阻由大变小,850±50℃以上电阻由小变大,也就是说元件电阻温度系数有负值阶段也有正值阶段。 元件一端所标电阻值是根据部标规定,在1050±50℃时测定的。不能用万用表或电桥冷测,因为那样没有参数价值。 元件的表面负荷密度与炉的温度有密切关系,可以根据需要任意调整,需要炉温高时加大负荷密度反之降低负荷密度即所谓调功率。但负荷密度过高会降低元件寿命,**负荷密度不要超过15W/cm2, Φ8mm-18mm.12W/cm2;Φ25mm-40mm.为10W/cm2。三. 硅碳棒使用须知 1. 硅碳棒表面负荷密度的计算: 硅碳棒表面负荷密度是指棒的发热部单位表面积在使用中承担的电功率,即表面负荷率 = 额定功率 / 发热部表面积( w/cm2)。在炉温相同的条件下,棒的单位表面负荷密度大,则棒的使用寿命就短,故切忌超负荷使用。 正确选用表面负荷密度是合理使用硅碳棒,延长棒体寿命的重要途径。 下面表示硅碳棒在表面为额定使用温度时,不同炉温下棒体所允许的**表面负荷密度参考值。 棒表面温度 炉膛温度℃ 允许**负荷W/Cm2 1450℃ 1000 31 1100 24 1200 21 1250 18 1300 14 1350 10 1400 6 2.硅碳棒规格的选择及需用支数的计算: 硅碳棒规格的选择应注意满足电炉结构尺寸,炉用功率和炉膛温度及温场分布等方面的要求,用时注意有利于外部接线和功率调节。 硅碳棒需用支数可用下列算法计算出: 规格确定以后,每支棒承荷功率数为:P1=F*W(瓦) F——每棒发热部表面积(CM2) W——在计算炉温下发热部允许的负荷密度(W/CM2) 需要支数: N=(P/P1)*1000 P——炉用功率(千瓦) 串联支数:n=U/u U——串联支路端电压(伏) u——每支棒承受的电压(伏) 每支棒承受的电压:u= ГP.R R——单支棒的标称电阻值 3.供电设备的选择及硅碳棒的联结方式:供电设备**选用调压范围较大可平稳连续调压的设备,如磁性调压器,可控硅胶直流调压器等。如选用有级调压变压器,也应选用电压级差小,调压挡数多的变压器。 硅碳棒元件的联结方式可串可并,以并联使用为优。串联使用时,支路串联支数不宜多于三支。