北方华创微电子全面进入14nm时代

世界范围内集成电路产业发展突飞猛进，工艺制程向更加精细化的方向发展，这对工艺设备提出了更严苛的挑战。随着北方华创28纳米工艺设备陆续实现商用化，14纳米工艺设备开发也取得了突破性进展。由北方华创微电子自主研发的应用于14nm先进制程的等离子硅刻蚀机、单片退火系统已正式进入集成电路主流代工厂并获得订单，LPCVD（低压气相沉积）和Hardmask PVD（硬掩膜沉积）设备也已获得集成电路主流代工厂订单即将进入生产线。可以说，北方华创微电子已全面进入14nm时代！14纳米集成电路制造技术是目前中国大陆**的半导体工艺制造技术，自14nm(包括14nm)之后，采用FinFET3D结构工艺已成为主流技术。14纳米FinFET是一种新型多栅3D晶体管，和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件具有更显著的功耗和性能优势，14nm FinFET 3D工艺引入了截然不同的工艺流程，这对其流程中的关键制造设备带来了更高的挑战！北方华创微电子14纳米制程设备陆续进入集成电路主流代工厂不仅展示了中国集成电路装备技术的不断进步，也预示着中国集成电路产业即将迈入全新的14nm技术时代。作为中国自主开发集成电路高端制造装备的先行者，北方华创微电子不断深耕发展，开拓创新，致力于为集成电路、先进封装、半导体照明、微机电系统、平板显示等领域提供先进工艺装备及解决方案。坚持以客户需求为导向的持续创新！持续推动产业进步，带给产业无限可能！北方华创微电子应用于14nm先进制程的设备简介：——北方华创微电子NMC 612D 14nm FinFET刻蚀机。该设备以全新的设计理念来实现14nm FinFET刻蚀工艺的要求，采用了新开发的同步脉冲等离子技术，通过对等离子体的实时控制和诊断来实现低损伤和高选择比，采用多区ESC以获得更高的CD均匀性，增加高温上电极的设计来降低缺陷，增大Throughput，设备多项关键指标达到国际先进水平。——北方华创微电子Booster A630 plus 单片退火系统。在28纳米技术基础上，通过设计优化，大幅提高了系统洁净度，提升了机台的可靠性。BoosterA630 plus 单片退火系统具备双模加热、升温速率高、温度均匀性好及产能大等特点。——北方华创微电子 THEORIS D302 14nm POLY立式炉设备。该设备采用了**的腔体结构设计以获得更好的工艺性能; 开发原位清洗技术，实现机台的低维护时间；并通过100-125 Wafer/Batch的高产能设计，增大Throughput。全新的产品结构设计满足14nm FinFET dummy polygate工艺的要求