UV光刻胶

光刻胶 免费编辑 添加义项名B 添加义项 ?所属类别 : 电子技术光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。基本信息中文名称光刻胶外文名称photoresist别名光致抗蚀剂 成分感光树脂、增感剂和溶剂分类负性胶和正性胶目录1分类2参数3应用4研究方向折叠编辑本段分类光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。折叠光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，**生成聚合物，具有形成正像的特点。折叠光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。折叠光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。折叠编辑本段参数折叠分辨率分辨率英文名:resolution。区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸(CD，Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。折叠对比度对比度(Contrast)指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。折叠敏感度敏感度(Sensitivity)光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的**小能量值(或**小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。折叠粘滞性黏度粘滞性/黏度(Viscosity)是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重(SG，Specific Gravity)是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊(poise)，光刻胶一般用厘泊(cps，厘泊为1%泊)来度量。百分泊即厘泊为**粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=**粘滞率/比重。 单位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。折叠粘附性粘附性(Adherence)表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。折叠抗蚀性抗蚀性(Anti-etching)光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。折叠表面张力液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力(Surface Tension)，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。折叠编辑本段应用模拟半导体(Analog Semiconductors)发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光电子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封装(Packaging)折叠编辑本段研究方向折叠①工艺角度普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。折叠②曝光系统伴随着新一代曝光技术(NGL)的研究与发展，为了更好的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。先进曝光技术对光刻胶的性能要求也越来越高。③光刻胶的铺展如何使光刻胶均匀地，按理想厚度铺展在器件表面，实现工业高效化生产。④光刻胶的材料从光刻胶的材料考虑进行改善。