快充芯片、钲铭科、快充芯片方案

                    同步整流芯片（如QC2.0、QC3.0方案）

   高通QuickCharge采用高压快充标准。得益于在手机处理器端的统治级地位，目前有超过100种智能手机都采用高通Quick Charge的方案。小米4C，同步整流快充芯片，小米note，三星等主流品牌均在采用此充电技术。这与目前高端智能手机所采用的平台有相当关系。另外，这种技术相对简单，实现起来相对容易，快充芯片方案，成本提升不明显，市场较容易接受。高通QC充电技术有两个版本，分别是QC2.0和QC3.0，现在QC3.0的手机还很少，普遍还是QC2.0。QC3.0采用高压快充技术，通过3.6~20V动态可调节电压和max3A电流以实现max36 W充电功率。同时，QC 3.0采用了电压智慧协商(INOV)技术，可让受电装置自行判断，以**适合的功率级别进行充电，将能源转换效率max化。

    深圳市钲铭科电子有限公司成立于2001年7月，DK5V45R25快充芯片，是一家专业从事集成电路设计、委托加工及销售的高新技术企业。公司专注于同步整流，高压线性，电源管理、LED照明芯片的研发。经过多年的经验积累和沉淀，得到了客户的高度评价和信任。

                               替代肖特基二极管的同步整流芯片  

             DK5V45R10   DK5V45R15   DK5V45R20   DK5V45R25

         同步整流技术就是采用低导通电阻的功率mos管代替开关变换器快恢复二极管，起整流管的作用，从而达到降低整流损耗，提高效率的目的。通常，快充芯片，变换器的主开关管也采用功率mos管，但是二者还是有一些差异的。

    功率mos管实际上是一个双向导电器件，其完整的漏源伏安特性应包括开始一象限以及第三象限，是基本关于原点对称的。如图1所示。其中：开始一象限表示mosfet的正向导电特性，第三象限表示mosfet的反向导电特性，同步整流技术正是利用了mosfet的这种双向导电特性来达到提高整流效率的目的。

    同步整流效率比传统的肖特基二极管提高4-5%，温度降低可达到50%；效率比Low VF的二极管提高20%以上，温度可降低20%。

     DK5V45R10（同步整流芯片）内部集成了10m Ω/45V功率NMOS管和同步整流控制IC，适用于5V/4A以下的反激式开关电源级次整流。

     DK5V45R15（同步整流芯片）内部集成了15m Ω/45V功率NMOS管和同步整流控制IC，适用于5V/3A以下的反激式开关电源级次整流。

     DK5V45R25（同步整流芯片）内部集成了25m Ω/45V功率NMOS管和同步整流控制IC，适用于5V/2A以下的反激式开关电源级次整流。