高纯钨靶
物理化学性能
1、纯度：99.95%；99.99%;99.999%
2、密度： ≥19.1g/cm3；
3、平整度：≤2%；
应用：航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、
冶金机械、熔炼设备、石油、等领域。
厚度 | 厚度公差 | 宽度 | 宽度公差 | 长度 | 长度公差 | 供应状态 |
＜0.2 | ±0.02 | 10~150 | ±2 | 500 | ±2 | 冷轧 |
0.3 | ±0.03 | 10~250 | ±2 | 500 | ±2 | |
0.4 | ±0.04 | 10~250 | ±2 | 500 | ±2 | |
0.5 | ±0.05 | 10~300 | ±2 | 500 | ±2 | |
0.8 | ±0.07 | 10~300 | ±0.5 | 500 | ±0.5 | |
1.0 | ±0.08 | 10~300 | ±0.5 | 600 | ±0.5 | |
1.5 | ±0.12 | 10~400 | ±0.5 | 600 | ±0.5 | |
2.0 | ±0.12 | 10~500 | ±0.5 | 700 | ±0.5 | |
3.0 | ±0.20 | 10~500 | ±0.5 | 600 | ±0.5 | 热轧 |
4.0 | ±0.30 | 10~500 | ±0.5 | 600 | ±0.5 | |
≥5.0 | ±0.40% | 10~550 | ±0.5 | 600 | ±0.5 |
用途
高纯钨靶和高纯钨钛合金靶、钨硅复合靶材通常被施以磁控溅射的方式制作各种复杂和高性能的薄膜材料。由于高纯钨或超纯钨（5 N或6 N）具有对电子迁移的高电阻、高温稳定性以及能形成稳定的硅化物，在电子工业中常以薄膜形式用作栅极、连接、过渡和障碍金属。超高纯钨及其硅化物还用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。钨钛合金溅射靶材常用于制作薄膜系太阳能电池的过渡金属层。
