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效用管是仅有一种载流子参加导电性的半导体材料器件，是一种用键入工作电压操纵輸出电流量的半导体材料器件。有 N 沟道和 P 沟道二种器件。有结型场管和绝缘层栅型场管 IGFET 之分。IGFET 又被称为金属材料-金属氧化物-半导体材料管 MOSFET。MOS 场效管有加强型 EMOS 和耗光型 DMOS 两类，每一类有 N 沟道和 P 沟道二种导电性种类。

在生产制造电鱼器的全过程中，可将 MOSFET 和 BJT 较为，就非常容易把握，输出功率 MOSFET 是一种高输入电阻、工作电压操纵型器件，BJT 则是一种低特性阻抗、电流量操纵型器件。再较为二者的光耦电路，输出功率 MOSFET 的光耦电路相对性简易。BJT 很有可能必须高达 20% 的额定值集电结电流量以确保对比度，而 MOSFET 必须的工作电压则小得多，并且一般能够立即由 CMOS 或是集电结引路 TTL 光耦电路驱动器。次之，MOSFET 的电源开关速率较为快速，MOSFET 是一种大部分载流子器件，可以以较高的速率工作中，由于沒有正电荷储存效用。其三，MOSFET 沒有二次穿透无效原理，它在溫度越高时通常体力越强，并且产生击穿的概率越低。他们还能够在较宽的温度范围内出示不错的特性。除此之外，MOSFET 具备并行处理专业能力，具备正的电阻器温度系数。溫度较高的器件通常把电流量导向性其他MOSFET，容许并行处理电源电路配备。并且，MOSFET 的漏极和源极中间产生的内寄生二极管能够当做箝位二极管，在电交流电流电源开关中尤其有效。

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