进口2N60
CS2N60FA9H,通过自对准平面技术降低传导损耗,提高开关性能和提高valanche NERGY。该晶体管可以使用WER开关在arious电路或ystem小型化高fficiency的。封装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
特点:
快速开关低导通电阻(导通电阻≤4.5Ω)
低栅极电荷(典型数据:8nC)
低反向传输电容(典型:3.8pF)
100%的单脉冲雪崩能量测试
应用范围:
电源适配器和充电器的开关电路。
**(TC =25℃除非另有规定):
注意:
1.Exceeding**长的设备性能的评等可能会造成设备损坏,甚至是**的失败,这可能会影响机器的可靠性。建议将用于设备的**长的评分低于80%。
2.当安装散热器,请注意扭矩和散热器的平整度。
3.VDMOSFETs这是静电敏感的设备,它是necessory被静电损坏,使用时的保护设备。
100%原装现货,可开17%增值税**。