的化合物半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物。 化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。具体表如今以下几个方面:(1)化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度。(2)GaAs材料的肖特基势垒特性比Si优胜。(3)GaAs的本征电阻率可达109,比硅高四个数量级,为半绝缘衬底。4)禁带宽度大,可以在Si器件难以工作的高温领域工作。GaAs为直接带隙半导体,可以发光。也就是说它可以完结光电集成。(6)抗辐射能力强。 高性能化合物半导体材料制备设备主要为:分子束外延设备(MBE)和金属有机物化学气相堆积设备(MOCVD)。