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要想获得，其脉冲宽度不能大于20us。3设计短路保护应注意的几个问题由于不同控制器的PCB布线参数不一样，导致相线短路时回路阻抗不等，短路电流也因此不同。所以，不同设计的控制器应根据实际情况设计确当的短路保护时间。由于应用中使用的电源电压有可能不同，也会导致短路电流的不同，同样也会影响到保护时间。注意控制器实际工作时的可能比较高温度，工作温度越高，短路保护时间就应该越短。本文讨论的短路保护时间是指MOSFET能承受的**长短路时间。在设计短路保护电路时，应考虑硬件及软件的响应时间，以及电流保护的峰值，电气电子线圈成本价，这些参数都会影响到**终的保护时间，电气电子线圈成本价。因此，硬件电路设计和软件的编写致关重要，电气电子线圈成本价。本文讨论的短路保护时间是单次短路保护时间，短路后短时间内不能再次短路。如果设计成周期性短路保护，则短路保护时间应更短。4结论短路保护在瞬间大电流时能对MOSFET提供可靠的快速保护，增加了控制的可靠性，减少了控制器的损坏率。
导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。短路保护时间计算步骤：计算MOSFVBHET短路时允许的瞬态温升因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面温度Tj：MOSFET结点温度Rth(jc)：结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻由图2可知，短路时MOSFET耗散的功率约为：P=Vds×I=25×400=10000W脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较**的脉冲功率数据。对于MOSFET温升计算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。Zθjc------热阻系数Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间由图3**下面一条曲线(单脉冲)可知，对于单脉冲来说。
可以用于中间继电器软故障的检测。下面，我们加入几组已知是否损坏的待测中间继电器进行分析，待测中间继电器具体参数如表二所示，待测1、待测2、待测3为正常中间继电器，其余3组为存在软故障的继电器。表2待测中间继电器阻抗特性参数(单位/mhz)编号待测1待测2待测3待测4待测5待测6频率，再利用特定聚类方法进行分类，得到的结果如图3所示。由图3所示的聚类结果可以看出，待测1、2、3组的数据被划分到初始数据中的一组组成一大类，待测4、5、6组数据与初始数据中的二组组成了新的一大类，这表明待测1、2、3组的中间继电器是正常的，待测4、5、6组的中间继电器是存在软故障的，与实际情况相符，完成了软故障的检测。在将故障组的组数减少后，得到的结果如图4所以，仍然能够检测出存在软故障的中间继电器。以上实验结果表明，本文提出的基于中间继电器线圈高频阻抗特性的继电器软故障检测方法是完全实际操作和运用的，有很大的使用价值，可以应用于中间继电器的软故障检测，能在中间继电器的定期维护中有效的检测出存在软故障的器件，避免发展为硬故障给生产生活造成损失，为生产生活提供便利。同时，为了提高软故障检测精度，可以增加初始的对比样本组数。
