可控硅反向恢复测试设备仪器检测
可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。
序号 |
项目 |
指标范围 |
分辨率 |
误差范围 |
备注 |
1 |
直流电源 |
100V~4000V连续 |
10V |
±3%±10V |
DC |
2 |
支撑电容 |
≥5mF |
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±5%±5uF |
C |
3 |
Didt调节电感 |
0.5uH~1uH~2uH;分3档手动调节 |
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±5% |
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4 |
电流采集(I1) |
CWT30B |
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6000A |
5 |
电压采集(v+/v-) |
TEKP6015A |
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20KV |
6 |
过流保护(I2) |
CP9600LF |
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7 |
负载电感 |
分档:50uH/100uH/200uH/500uH |
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8 |
R/C |
IGCT吸收电阻 |
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9 |
IGCT器件(Q1) |
满足电压和电流量程 |
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4.3测试参数
序号 |
参数 |
测试范围 |
精度 |
备注 |
1 |
-di/dt |
200 ~5000A/us |
±3% |
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2 |
VR |
0-4000V |
±3% |
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3 |
IF |
200-5000A |
±3% |
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4 |
IRR |
0~5000A |
±3% |
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注: 以上参数能够同时实现并独立可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra,反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta,tb,s(软度因子),恢复能量Eoff。
(北京半导体检测)