高温阻断试验台
系统概述
交流阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体器件施加阻断（或反偏）电压，按照规定的时间，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的 交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的 试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否通过， 同时获取相关试验数据。
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置， 作交流阻断（或反偏）耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反 偏耐久性试验、高温漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。
技术指标试验电压VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 连续可调， 50HZ工频试验电流IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA试验温度室温～150℃；温度均匀性125℃±3℃； 温度波动度±0.5℃试验工位10工位试验容量80×16=1280位加电方式 器件试验参数从器件库中导入，ATTM自动加电试验 方式，可单通道操作；老化电源可根据设定试验电压 和上电时间程控步进加载
