首页> 广东省科学院半导体研究所> 新闻动态> 广州真空磁控溅射用处 广东省科学院半导体研究所供应

磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气,在阴极和阳极之间施加几百K直流电压,在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电,使氩气发生电离。磁控溅射法优势特点:较常用的制备磁性薄膜的方法是磁控溅射法,广州真空磁控溅射用处。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面,将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间,便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜,广州真空磁控溅射用处。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密,广州真空磁控溅射用处、均匀等优点。磁控溅射技术得以普遍的应用是由该技术有别于其它镀膜方法的特点所决定的。广州真空磁控溅射用处反应磁控溅射特点:(1)采用双靶中频电源解决反应磁控溅射过程中因阳极被绝缘介质膜覆盖而造成的等离子体不稳定现象,同时还解决了电荷积累放电的问题。(2)利用等离子发射谱监测等离子体中的金属粒子含量,调节反应气体流量使等离子体放电电压稳定,从而使沉积速率稳定。(3)使用圆柱形旋转靶减小绝缘介质膜的覆盖面积。(4)降低输入功率,并使用能够在放电时自动切断输出功率的智能电源抑制电弧。(5)反应过程与沉积过程分室进行,既能有效提高薄膜沉积速率,又

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主营产品或服务 电子元器件
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