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光刻机的匹配使用是指同一产品不同的工艺图层可以分别在不同型号或同一型号不同系列的光刻机上进行光刻，而不影响光刻工艺的质量。场镜误差的匹配性**终反映在民机场内套刻误差的差异性上，因为每种透镜均有一个特征畸变图形，北京光刻机，其位置误差作为曝光像场位置的一种函数。
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分类光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动A手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了
技术前景
除了目前致力于开发的TWINSCAN平台外，ASML还在积极与IMEC， IBM等半导体公司合作，开发下一代光刻技术，无锡光刻机，比如EUV（极紫外线光刻），用于关键尺度在22纳米甚至更低的集成电路制造。目前ASML已经向客户递交若干台EUV机型，用于研发和实验。同时，基于传统TWINSCAN平台的双重曝光等新兴技术，也在进一步成熟和研发过程当中。
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