苏州硅能半导体(图)_场效应管价格_北京场效应管
电极所有的FET都有栅极(gate)、漏极(drain)、源极(source)三个端,分别大致对应BJT的基极(base)、集电极(collector)和发射极(emitter)。除JFET以外,所有的FET也有第四端,被称为体(body)、基(base)、块体(bulk)或衬底(substrate)。这个第四端可以将晶体管调制至运行;在电路设计中,很少让体端发挥大的作用,但是当物理设计一个集成电路的时候,它的存在就是重要的。在图中栅极的长度(length)L,北京场效应管,是指源和漏的距离。宽度(width)是指晶体管的范围,在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制z、高频率约为5GHz,0.2微米则是约30GHz。这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消1除源极和漏极之间的沟道,从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个加上的电压影响,电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅、漏、源极所在的半导体的块体。通常体端和一个电路中z高或z低的电压相连,根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起,因为有时源也连在电路中z高或z低的电压上。当然有时一些电路中FET并没有这样的结构,比如级联传输电路和串叠式电路。
型号命名:
有两种命名方法。
第1种命名方法与双极型三极管相同,场效应管价格,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
主要参数:
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
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