北京场效应管、苏州硅能半导体、场效应管生产厂家
MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容
金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心，氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，北京场效应管，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric c**tant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。
常见的场效应管：
MOS场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，场效应管工作，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，场效应管生产厂家，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，场效应管工作，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
主要参数：
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
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