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C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，场效应管生产厂家，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，场效应管工作，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
根据上述方法，用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路，测得漏源电阻1为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻1为12kΩ，表针摆动的幅度较大，常用场效应管，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），场效应管，也可能向左摆动（电阻值增加）。
极限参数
①z大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，
②z大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子z高工作温度的限制，
③z大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，
④z大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
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